Memoria Ram 2º parte

Una célula de SRAM tiene tres estados distintos en los que puede estar:
1. Reposo (standby): cuando no se realizan tareas de acceso al circuito,
2. Lectura (reading): cuando la información ha sido solicitada y
3. Escritura (writing): cuando se actualizan los contenidos.
Memoria Tag RAM
Este tipo de memoria almacena las direcciones de memoria de cada uno de los datos de la DRAM almacenados en la memoria caché del sistema. Así, si el procesador requiere un dato y encuentra su dirección en la Tag RAM, va a buscarlo inmediatamente a la caché, lo que agiliza el proceso.
Memoria VRAM
Éste tipo de memoria fue utilizada en las tarjetas gráficas (controladores gráficos) para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema, y podría ser incluida dentro de la categoría de Peripheral RAM. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported. No obstante, fue sustituida inicialmente por la SDRAM (más rápida y barata) y posteriormente por la DDR, DDR2, DDR3 y DDR4 (también denominada GDDR4: Graphics DDR4), más rápidas y eficientes.
Memoria FRAM
Artículo original: FRAM
La memoria FRAM (RAM Ferroeléctrica) es una memoria de estado sólido, similar a la memoria RAM, pero que contiene un funcionamiento más parecido a las antiguas memorias de ferrite. Esta memoria, en lugar de preservar la carga de un microscópico capacitor, contiene dentro moléculas que preservan la información por medio de un efecto ferroeléctrico.
Características:
• Tiempo de acceso corto: debido a su funcionamiento, tienen velocidades (del orden de la centena de nanosegundos) que las habilitan para trabajar como memoria principal con la mayoría de los microcontroladores.
• Lectura destructiva: como todas las memorias ferroeléctricas, la lectura es destructiva. Esto no representa un problema ya que el chip se encarga de reescribir los datos luego de una lectura.
• No volátiles: su funcionamiento hace prescindibles los refrescos y la alimentación para la retención de datos.
• Encapsulados: se consiguen hoy en día tanto en variedades para trabajo en paralelo (para conectar a un bus de datos) como en serie (como memoria de apoyo).
Tipos de módulos


Tipos de módulos de ariba abajo (los dos primeros soldados directamente en placa): DIP, DIP switch, SIMM 30 contactos, SIMM 72 contactos, DIMM 168 contactos, DIMM 184 contactos
• Módulo de memoria SIMM de 30 pines: SIMM es un acrónimo del idioma ingles que expresa Single in Line Memory Module o modulo de memoria de una sola línea, es decir, un modulo de memoria SIMM es un conjunto de chips, generalmente DIPs integrados a una tarjeta electrónica. Este modulo normalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 8 bits.
• Módulo de memoria SIMM de 72 pines con tecnología EDO RAM: Este módulo de memoria es superior en tamaño al SIMM de 30 pines. Normalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 32 bits.
• Módulo de memoria DIMM de 168 pines con tecnología SDR SDRAM: DIMM es un acrónimo inglés que expresa Dual in Line Memory Module o módulo de memoria de doble línea. Este nódulo generalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 64 bits.
• Módulo de memoria DIMM de 184 pines con tecnología DDR SDRAM: Este tipo de módulo de memoria trabaja con chips de memoria DDR SDRAM, con un bus de datos de 64 bits y posee 184 pines (lo que evita confundirlo con el de 168 pines y conectarlo en placas que no lo soporten).
• Módulo de memoria RIMM de 184 pines con tecnología RDRAM: Este tipo de módulo de memoria trabaja con chips de memoria RDRAM, por lo que deben instalarse siempre de dos en dos y en módulos específicos. Suelen tener una protección metálica que favorece la disipación térmica.





Variedad de módulos
La explicación del por qué existe la necesidad de hacer coincidir a pares ciertos módulos de memoria es que cada módulo es capaz de devolver cierto número de bits por vez y éste ha de completar el ancho de bus del microprocesador.
Es decir, si contamos con un procesador Pentium con un bus de datos de 32 bits, necesitaremos un sistema de memoria capaz de llenar este ancho de bus. Por ello, si cada módulo SIMM de 72 contactos proporciona 16 bits de una sola vez, precisaremos dos de estos módulos. Los DIMM proporcionan los 32 bits de golpe, por lo que pueden instalarse individualmente (y ser de marcas y capacidades diferentes).
Algo extrapolable a los procesadores de 16 bits, que necesitaban cuatro módulos SIMM de 30 contactos, con 4 bits cada uno.
Corrección y detección de errores
Se usan técnicas de detección de errores para detectar si los datos leídos de la memoria han sido alterados por algún error. La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte de datos, y en la lectura se comprueba si el número de unos es par (paridad par) o impar (paridad impar), detectándose así el error. Una técnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 2,3 y 4 bits y corregir errores que afecten a un sólo bit, esta técnica se usa sólo en sistemas que requieren alta fiabilidad.